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王曦主要成就

科研成就

时间	项目名称	奖励名称
2005年		上海市科学技术进步一等奖（排名第一）
2006年	高端硅基SOI材料研究和产业化	国家科技进步一等奖（排名第一）
2007年		中国科学院杰出科技成就奖（排名第一）

科研综述王曦长期致力于载能离子束与固体相互作用物理现象研究，并将研究成果应用于电子材料SOI（Silicon-on-insulator）的开发。在对离子注入SOI合成过程中的物理和化学过程研究基础上，自主开发了一系列将SOI材料技术产业化的关键技术，建立了中国SOI材料研发和生产基地。2008年制备出中国第一片8英寸键合SOI晶片，实现了SOI晶片制备技术的重要突破。在载能离子束与固体相互作用以及离子束辅助薄膜沉积技术研究方面，揭示了载能离子作用下薄膜表面微结构、相组分、电子学、光学、生物学特性，实现了载能离子束薄膜生长的可控制性。科研项目&成果奖励截至2017年，王曦主持完成了包括国家“863”计划“超大规模集成电路配套材料”重大专项项目在内的多个国家级项目，并获得上海市科学技术进步一等奖，国家科技进步一等奖，中国科学院杰出科技成就奖等。成果奖励

人才培养

年度	题目	作者	学位
2012	0.13微米SOI工艺仿真及PD SOI器件特性研究	罗杰馨	博士
2011	SOI基平板光子晶体制备与自准直效应研究	杨志峰	博士
2011	体硅及绝缘体上应变硅、应变储硅制备技术研究	薛忠荣	博士
2011	PDSOI MOS器件总剂量辐射效应和FDSOI高迁移率MOS器件研究	俞文杰	博士
2009	不同源CMOS/SOI器件的总剂量辐射异同性研究及ESD保护电路的设计	田浩	博士
2009	SOI基光耦合器与二维光子晶体研究	方娜	硕士
2008	SOI微机械结构和相关器件研究	武爱民	博士
2008	PD CMOS/SOI抗辐射54HC电路设计及制造	贺威	博士
2004	改性碳纳米管及其场发射性能研究	张继华	博士
2004	图形化SOI技术研究	董业民	博士
2002	新型氮氧复合埋层SOI及其抗总剂量辐照研究	刘相华	硕士
2002	LFRF-PECVD法制备碳纳米管材料的工艺、微结构及场发射性能的研究	于伟东	博士
2001	SOI圆片线位错和针孔密度及PIII新技术的研究	郑望	硕士
2000	真空磁过滤弧沉积非晶金刚石薄膜及其在生物医学材料领域中的应用研究	俞柳江	硕士
2000	场发射平板显示器阳极荧光材料及器件的研究	李炜	博士
2000	SOI圆片制备技术研究	陈猛	博士
1997	真空磁过滤弧沉积薄膜合成及其性能研究	赵建平	博士

截至2012年，王曦在中国科学院上海微系统与信息技术研究所（原中国科学院上海冶金研究所）一共培养博士生10多名，硕士生4名。根据中国科学技术信息研究所、国家工程技术数字研究馆信息、全国图书馆参考咨询联盟，王曦培养学生情况如下：

荣誉表彰

时间	荣誉/表彰	来源
1998年	国务院颁发的政府特殊津贴
2008年	何梁何利基金科学与技术进步奖
2008年	第八届中国科学院杰出青年
2009年12月	中国科学院院士
2017年5月	全国创新争先奖
2017年	上海市科技功臣奖
	上海市优秀科研院所长奖
	上海市领军人才
	“十一五”国家科技计划执行突出贡献奖