赵中伟主要贡献

留日期间主要从事生体金属材料的表面生物活性化研究，在电化学沉积法制备生物陶瓷膜的研究方面取得成果：传统的阴极电沉积法具有过程温度低、能耗低、不产生残余应力且尤其适合于在复杂形状基体上镀覆等优点。但一般来说电沉积法制得的膜层与极基底的结合强度不超过20MPa，远低于等离子喷涂法的60MPa。这也是阴极电沉积法制备生物陶瓷薄膜技术中亟待解决的一个难题。而如何保证在阴极基板形成适当的氧化物过渡层及如何抑制H2在阴极基板上的析出是提高金属与陶瓷膜之间结合强度之关键所在。针对以上情况，研究中提出了新的工艺。通过设计并采用新的电解液体系，一方面抑制了阴极氢气的析出；另一方面降低了阴极极化。从而可以在简单的条件下获得性能优异、结合牢固的的膜层。有关初步研究结果已在国际会议发表。据文献检索，自首次提出电积工艺 (1990年) 以来未见同类报道。2001年，本研究得到了国家自然科学基金的青年基金资助。1997年以来，针对钨提取冶金中钨/钼分离这一长期困扰国内外冶金工作者的难题，运用分子设计的方法，通过寻找特殊功能的先导化合物并进行类型衍化，合成了系列特效除钼试剂。钨/钼分离系数普遍在4000到20000之间。实现了低钨损条件下高度选择性除钼。这一研究成果迅速转化为生产力在国内获得广泛推广应用。4年内应用面已占国内冶炼总生产能力的73%并仍在继续扩大。已采用该技术的厂家包括我国最大也是世界最大的钨冶炼厂--厦门钨业公司、我国第二大和第三大钨冶炼厂--自贡硬质合金厂和南昌硬质合金厂等。拥有授权专利2项，受理申请专利3项。科研团队以“难冶钨资源深度开发应用关键技术”项目获得“2011年国家科技进步一等奖”。该项目包括白钨矿分解新工艺、高浓度离子交换、共生钨钼分离及短流程深度除杂等整套关键技术，成功地解决了我国难冶钨资源的高效利用与清洁生产问题，为我国钨资源使用提供了技术支撑；产品性能达到国际先进水平，满足了我国国民经济和国防军工的需求，为我国的冶金科学技术进步和国民经济建设作出了贡献。中南大学赵中伟教授是世界“钨”脊的攀登者。由他提出关键技术构思，开发出“选择性沉淀法从钨酸盐溶液中除钼、砷、锡、锑新工艺”，一举解决了长期困扰国内外冶金界的“钨/钼分离”技术难题。该成果目前在我国钨冶金企业推广面达96%以上，覆盖75%的生产能力。由他领军研究的“难冶钨资源深度开发应用关键技术”，突破了国内外长期认为白钨矿不能碱分解的理论禁锢，解决了我国钨资源的高效利用与清洁生产问题，确保了我国钨资源使用年限由原来的不足5年延长到25年以上，生产的系列高技术产品性能达到国际先进水平。承担和参与完成国家自然科学基金项目、国家863项目和国家973项目等11项；在国内外学术刊物上共发表论文128篇，其中SCI收录33篇，EI收录55篇；获国家授权发明专利27项。

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