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施敏主要成就

时间	名称	出版社	页数
1969	《Physics of Semiconductor Devices》	Wiley Interscience,New York	812
1981	《Physics of Semiconductor Devices 2nd Ed.》	Wiley Interscience,New York	868
1985	《Semiconductor Devices: Physics and Technology》	Wiley, New York	523
1991	《Semiconductor Devices: Pioneering Papers》	World Scientific, Singapore	1003
1994	《Semiconductor Sensors》	Wiley Interscience,New York	550
1996	《ULSI Technology》with C.Y.Chang	McGraw Hill, New York	726
1998	《Modern Semiconductor Device Physics》	Wiley Interscience,New York	555
2000	《ULSI Devices》with C.Y.Chang	Wiley Interscience,New York	729
2002	《Semiconductor Devices: Physics and Technology, 2nd Ed.》	Wiley, New York	564
2003	《Fundamentals of Semiconductor Fabrication》with G.May	Wiley, New York	305

时间	荣誉/表彰	授予单位
1969年	中山学术奖
1977年	电气和电子工程师协会（IEEE）会士	电气和电子工程师协会
1991年	IEEE电子器件Ebers奖（J.J. Ebers Award）	电气和电子工程师协会
1994年	台湾中央研究院院士（数理组）	台湾中央研究院
1995年	美国国家工程院院士	美国国家工程院
1997年	行政院杰出科技荣誉奖
1998年	中国工程院外籍院士	中华人民共和国国务院
2007年	经济部大学产业经济终身成就奖
2014年7月	工业技术研究院院士	工业技术研究院
2014年	Flash Memory Summit Lifetime Achievement Award
2017年12月	IEEE2017年度“尊荣会员”	电气和电子工程师协会
2021年9月	未来科学大奖数学与计算机科学奖	香港未来科学大奖基金会有限公司

科研综述1967年，施敏与韩裔美国人姜大元（Dawon Kahng）休息吃甜点时，用了一层又一层的涂酱，触动施敏与他二人的灵感，想到在金属氧化物半导体场效电晶体（MOSFET）中间加一层金属层，结果发明了非挥发性记忆体（Flash），5月两人在《贝尔系统科技期刊》（The Bell System Technical Journal）上发表第一篇关于非挥发性内存的论文“浮闸非挥发性半导体内存细胞元件”，第一次阐述了闪存存储数据的原理技术，随后由贝尔实验室取得专利。1970年代，时任台湾经济部长孙运璿邀请施敏担任“经济部发展积体电路计画工作小组”成员之一，施敏所提出的最关键建言，就是力荐孙运璿要推动半导体业。20世纪80年代初，施敏首先以电子束制造出线宽为0.15μm MOSFET器件，首先发现崩溃电压与能隙的关系，建立了微电子元件最高电场的指标。学术著作编著教材1969年，施敏编著的《半导体元件物理学》（Physics of Semiconductor Devices）第一版出版，之后被翻译成六国文字，被广泛用作教科书与参考书。

指导学生1968年，台湾设立工程博士班，施敏担任首位工程博士候选人张俊彦的论文导师，1970年张俊彦以《金属半导体接口载子传导》为论文题目，通过口试成为台湾第一位工程博士。他指导的学生卢超群1999年当选为美国国家工程学院院士。开设课程2003年以来，施敏在中国内地高校，包括西安交通大学、北京交通大学、东北大学、吉林大学、山东大学、苏州大学和安徽大学，开设“半导体物理和设备”这门课程，该课程主要是为了培养更多的中国学生参与到半导体设备领域。2005年，在上海交通大学开设了一门INTENSIVE COURSE，为期三周共18节课。