杨宇成就

（1）用固相反应法结合冷压烧结工艺制备出当时国内最高临界电流密度的Bi系氧化物高温超块材(Jc～2000A/cm 2液氮温区)；（2）国际上率先生长出不同结构的SiGe/Si量子阱发光材料，解决了硅基量子阱发光材料的关键生长工艺；（3）国内首先研制出SiGe/Si量子阱红外探测器；（4）国内较早设计并研制64×2的GaAsAl/GaAs正入射量子阱探测器面阵；（5）在博士后流动站工作期间，为中德联合实验室解决了Si集成电路上粘附力强、低电阻的不同金属电极制备的特殊工艺问题；（6）采用磁控溅射技术于非晶硅基底上制备出Ge晶体薄膜，在国际上首先探索到Ge晶体大规模产业化应用的路子；（7）在国内外学术刊物发表论文47篇。

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