欧阳俊主要贡献

2008，十八篇学术文章，其中九篇第一作者兼通讯作者。除了一篇会议文章，所有文章的影响因子都大于1，平均3.22. 总引用次数超过150次 （截至2009年9月）。已申报三项美国发明专利/商业机密。特邀学术报告十九次，邀请单位包括美国希捷科技，美国国家标准计量局，美国马里兰大学科里奇帕克分校，美国德州大学阿灵顿分校，美国弗吉尼亚联邦大学，香港城市大学，清华大学，哈尔滨工业大学，山东大学，中南大学，华中科技大学，北京科技大学等国内外公司，大学和研究机构。2004，参与十一次国际学术会议，在二十篇学术会议报告中作出贡献，作为第一作者 (First author) 及协作者（co-author) 各十次。在薄膜功能材料的物理性能方面作出了开拓性质的工作，第一次定量计算并用实验证明了铁电外延薄膜材料压电性能对其生长取向的依赖性，并预测了常用的不同铁电材料系统的有效压电系数，指出怎样通过优化取向获得优异的本征 (Intrinsic) 或非本征（extrinsic) 压电性能。使用的模型及实验方法适用于优化设计其他功能薄膜材料的物理性能，如非铁电压电薄膜（石英等）的压电性，铁磁薄膜的磁致伸缩性，多铁性薄膜或多层材料的电磁耦合性等。 铁电畴研究：铁电畴的结晶学与热力学，定性及定量测量 (Piezoelectric force microscopy,X-ray,etc），纳米尺度铁电畴形貌及动力学，畴对铁电体（尤其是铁电薄膜）物理性能的影响，包括介电，铁电，压电及机械性能。多相多畴薄膜功能材料（包括铁电，铁磁，铁弹等铁性或多铁性材料）的热力学，及通过应变工程/弹性束缚工程方法（Strain/Constraint Engineering）以获得优化的薄膜结构与性能。工业用先进电子材料（介电材料/压电材料/碳基材料）的研究与开发，高离子化溅射技术。代表性学术论文：（1）Jun Ouyang,S. Y. Yang,L. Chen,R. Ramesh,and A. L. Roytburd，“Orientationdependence of the conversepiezoelectric constants for epitaxial single domainferroelectric films”.Appl. Phys.Lett.,85,278 （2004）.（2）Jun Ouyang,R. Ramesh and A. L. Roytburd，“Intrinsic effective piezoelectriccoefficient e31,ffor ferroelectric thin films ”.Appl. Phys. Lett.,86,152901（2005）.（3）Jun Ouyang,and A. L. Roytburd，“Intrinsic effective piezoelectric coefficientsof an epitaxial ferroelectric film”，Acta Materialia,54,531 （2006）.（4）Jun Ouyang,et al. “Engineering Self-Assembled Domain Architecture with Ultra-high Piezoelectric Response in Epitaxial Ferroelectric Films”，Advanced FunctionalMaterials,17 （13）,2094 （2007）.

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